柱状装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种制造一半导体装置之方法，其包括：提供一含有复数个开口之绝缘层；在该绝缘层中之该复数个开口中及在该绝缘层上方，形成一第一半导体层；及移除该第一半导体层之一第一部分，以使得该第一半导体层之第一导电类型第二部分保持在该绝缘层中之该复数个开口的下部部分中，且该绝缘层中之该复数个开口的上部部分保持未填充。该方法亦包括在该绝缘层中之该复数个开口之该等上部部分中及在该绝缘层上方形成一第二半导体层，及移除该第二半导体层之位于该绝缘层上方之一第一部分。该第二半导体层之该等第二导电类型第二部分保持在该绝缘层中之该复数个开口的上部部分中，以在该复数个开口中形成复数个柱状二极体。

主权项

一种制造一半导体装置之方法，其包含：提供一含有复数个开口之绝缘层，其中该绝缘层位于一基板上方；在该绝缘层中之该复数个开口中及在该绝缘层上方形成一第一半导体层；移除该第一半导体层之一第一部分，其中：该第一半导体层之第一导电类型之第二部分保持在该绝缘层中之该复数个开口之下部部分中；且该绝缘层中之该复数个开口之上部部分保持未填充；在该绝缘层中之该复数个开口之该等上部部分中及在该绝缘层上方形成一第二半导体层；移除该第二半导体层之位于该绝缘层上方之一第一部分；其中该第二半导体层之第二导电类型之第二部分保持在该绝缘层中之该复数个开口之上部部分中，以在该复数个开口中形成复数个柱状(pillar)二极体，其中该第一半导体层及该第二半导体层包含多晶矽、锗或矽-锗，或在一后续步骤中结晶的非晶矽、锗或矽-锗，其中：该第一半导体层及该第二半导体层包含多晶矽层；该第一半导体层包含一原位(in-situ)n型掺杂之多晶矽层；该绝缘层中之该等开口具有一45nm或45nm以下的半间距(half-pitch)；且藉由在该绝缘层上方形成一正光阻、在使用一衰减相移遮罩时暴露该光阻以便辐射、图案化该暴露的光阻及使用该经图案化光阻作为一遮罩来蚀刻该绝缘层中之该等开口而形成该等开口。