发明名称 Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
摘要 <p>Ein Bauelement enthält einen Halbleiter-Chip, der eine erste Hauptoberfläche und eine zweite Hauptoberfläche enthält, wobei die zweite Hauptoberfläche die Rückseite des Halbleiter-Chips ist. Die zweite Hauptoberfläche enthält ein erstes Gebiet und ein zweites Gebiet, wobei das zweite Gebiet ein Randgebiet der zweiten Hauptoberfläche ist. Das Bauelement enthält weiterhin ein dielektrisches Material, das über dem zweiten Gebiet angeordnet ist, und ein elektrisch leitfähiges Material, das über dem ersten Gebiet angeordnet ist.</p>
申请公布号 DE102014101283(A1) 申请公布日期 2014.08.07
申请号 DE201410101283 申请日期 2014.02.03
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 MACKH, GUNTHER
分类号 H01L23/485;H01L21/268;H01L21/78 主分类号 H01L23/485
代理机构 代理人
主权项
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