| 发明名称 | 半导体器件、其制造方法及半导体器件封装 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体器件、其制造方法以及半导体器件封装。在一个实施例中，半导体器件包括在衬底的表面上具有开口的绝缘材料层。一个或多个插入凸块设置在绝缘材料层上方。半导体器件包括具有不设置在绝缘材料层上方的部分的信号凸块。 | ||
| 申请公布号 | CN103972189A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201310583359.1 | 申请日期 | 2013.11.19 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈依婷;施应庆;蔡柏豪;卢思维;林俊成 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；绝缘材料层，在所述衬底的表面上具有开口；一个或多个插入凸块，设置在所述绝缘材料层上方；以及多个信号凸块，具有不设置在所述绝缘材料层上方的部分。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||