发明名称 |
一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法,解决了硅基射频无源器件严重的衬底损耗问题,并且具有优化硅基无源器件寿命和抑制高温下工作性能退化的效果,其包括如下步骤:(a1)选择一低阻硅基衬底;(a2)在低阻硅基衬底顶部按照硅基工艺制作射频无源器件;(a3)从低阻硅基衬底底部注入图形化高能重离子,实现高能重离子注入区硅基衬底非晶化,获得图形化高阻硅基衬底,还可利用掩模或掩模板注入高能重离子,注入后去除掩模或掩模板。本发明通过图形化高能重离子注入轰击低阻硅基衬底,提高硅基无源器件下方衬底的电阻率,降低射频无源器件的衬底损耗,从而达到硅基射频无源器件的低损耗目的。 |
申请公布号 |
CN103972053A |
申请公布日期 |
2014.08.06 |
申请号 |
CN201410233451.X |
申请日期 |
2014.05.29 |
申请人 |
中国工程物理研究院电子工程研究所 |
发明人 |
曾建平;熊永忠;唐海林;刘超;李一虎;邓小东 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 |
代理人 |
杨俊华 |
主权项 |
一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:(a1)选择一低阻硅基衬底;(a2)在低阻硅基衬底顶部按照硅基工艺制作射频无源器件;(a3)从低阻硅基衬底底部注入图形化高能重离子,实现高能重离子注入区硅基衬底非晶化,获得图形化高阻硅基衬底,进而获得低损耗硅基射频无源器件。 |
地址 |
621054 四川省绵阳市绵山路64号 |