| 发明名称 | 双层微机电系统器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了示例性双层微机电系统(MEMS)器件以及其制造方法。一种示例性方法包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，SOI衬底包括通过绝缘层隔开的第一硅层与第二硅层；对第一硅层进行处理以形成MEMS器件的第一结构层；将第一结构层接合至衬底；以及对第二硅层进行处理以形成MEMS器件的第二结构层。 | ||
| 申请公布号 | CN103964376A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201310148440.7 | 申请日期 | 2013.04.25 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 朱家骅;李德浩;李久康;梁凯智;林宗贤;郑钧文 |
| 分类号 | B81C3/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种方法，包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，所述SOI衬底包括通过绝缘层隔开的第一硅层和第二硅层；对所述第一硅层进行处理以形成MEMS器件的第一结构层；将所述第一结构层接合至一衬底；以及对所述第二硅层进行处理以形成所述MEMS器件的第二结构层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||