增强应力记忆技术效果的方法

摘要

本发明增强应力记忆技术效果的方法浅沟隔离和阱注入之后，用非晶硅栅取代传统的多晶硅栅，然后进行外延注入，形成侧墙，进行源漏注入，淀积一层氮化硅，使用准分子激光照射与尖峰退火，产生更大的应力记忆技术所需要的应力并留在栅内，去除氮化硅层。

主权项

一种增强应力记忆技术效果的方法，在一衬底上形成至少一浅沟槽隔离，并在衬底上进行阱注入，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成至少一非晶硅栅极；进行外延注入；在非晶栅极的侧壁上形成器件侧墙，并进行源/漏注入；在衬底上淀积一层氮化硅层，将衬底上的浅沟槽区域、非晶栅极及覆盖在非晶栅极侧壁的器件侧墙覆盖；使用准分子激光照射与尖峰退火，产生应力记忆技术所需要的应力并留在栅内；将覆盖在衬底上的氮化硅层去除；进行准分子激光照射的过程中将温度控制在500～600℃之间。