发明名称 一种纤维状硅基薄膜太阳电池及其制备方法
摘要 本发明属于柔性、高效硅基薄膜太阳电池领域,具体为一种纤维状硅基薄膜太阳电池及其制备方法。本专利采用纤维状基底,若基底不导电需要先在基底上制备背电极,然后利用三室PECVD镀膜系统,在掺杂室及本征室中以SiH<sub>4</sub>、B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>、PH<sub>3</sub>、H<sub>2</sub>、CH<sub>4</sub>、GeH<sub>4</sub>等为放电气体,在基底上依次制备n/i/p结构的硅薄膜,最后,利用磁控溅射镀膜系统p层表面制备ITO薄膜作为前电极和钝化层并包覆工作电极引出正电极”,制备出ss/n/i/p/ITO/前电极或ss/背电极/n/i/p/ITO/前电极结构的纤维状硅基薄膜太阳电池,将硅基薄膜太阳电池引入纤维化,电池具有三维采光、弯曲度大、易制备及可编织等优点。
申请公布号 CN103972321A 申请公布日期 2014.08.06
申请号 CN201410215673.9 申请日期 2014.05.21
申请人 云南师范大学 发明人 杨培志;段良飞;杨雯;李学铭;涂晔
分类号 H01L31/075(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I 主分类号 H01L31/075(2012.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种纤维状硅基薄膜太阳电池及其制备方法,其特征是:“采用柔性纤维状基底,进行腐蚀清洗,若基底不导电需利用磁控溅射镀膜系统在基底上制备背电极,再利用三室等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)镀膜系统,以SiH<sub>4</sub>、B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>、PH<sub>3</sub>、H<sub>2</sub>、CH<sub>4</sub>、GeH<sub>4</sub>等为气体,先在掺杂室1中制备n型硅薄膜;再本征室中制备i型硅薄膜;然后再在掺杂室2中制备p型硅薄膜;最后,利用磁控溅射镀膜系统制备ITO薄膜作为前电极和钝化层并包裹缠绕的工作电极引出正电极”。
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