发明名称 多晶硅金属污染防止方法
摘要 本发明提供一种通过在与多晶硅接触的金属基材的表面上设置树脂制保护罩而防止多晶硅的金属污染的方法,该方法能够可靠地防止由该保护罩的磨损引起的金属的表面暴露。本发明的通过在多晶硅所接触的金属基材的表面上设置树脂制保护罩而防止由多晶硅与金属基材的接触引起的多晶硅的金属污染的方法的特征在于,重叠地设置两片树脂片材(3a、3b)作为树脂制保护罩(3)。
申请公布号 CN103964442A 申请公布日期 2014.08.06
申请号 CN201410213828.5 申请日期 2010.09.17
申请人 株式会社德山 发明人 近藤学;吉村礼二
分类号 C01B33/02(2006.01)I 主分类号 C01B33/02(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;张会华
主权项 一种多晶硅金属污染防止方法,其通过在多晶硅所接触的金属基材的表面上设置树脂制保护罩而防止由多晶硅与金属基材的接触引起的多晶硅的金属污染,其特征在于,重叠地设置两片树脂片材作为上述树脂制保护罩,使用彼此色调不同的树脂片材作为上述两片树脂片材,使用半透明的树脂片材作为色调与下侧树脂片材的色调不同的上侧树脂片材。
地址 日本山口县