半导体装置、半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的是提供能防止在布线上或MIM电容器上重叠形成的上部MIM电容器的上部电极从电介质膜浮起或剥离的半导体装置及该半导体装置的制造方法。具备：基板（13）；在该基板上部分地形成的金属膜（14）；第一电介质膜（16），具有该金属膜上的第一部分（16a）和在该基板上以与该第一部分连接的方式形成的第二部分(16b)；下部电极（18），形成在该第一部分上；第二电介质膜(20)，具有该下部电极上的第三部分（20a）和在该第一电介质膜上以与该第三部分连接的方式形成的第四部分（20b）；在该第二电介质膜上部分地形成的上部电极（24）；加强膜（22），在该第二电介质膜上以与该上部电极的侧面相接的方式形成。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；在所述基板上部分地形成的金属膜；第一电介质膜，具有所述金属膜上的第一部分和在所述基板上以与所述第一部分连接的方式形成的第二部分；下部电极，形成在所述第一部分上；第二电介质膜，具有所述下部电极上的第三部分和在所述第一电介质膜上以与所述第三部分连接的方式形成的第四部分；在所述第二电介质膜上部分地形成的上部电极；以及加强膜，在所述第二电介质膜上以与所述上部电极的侧面相接的方式形成。