| 发明名称 | 高速响应光电探测器 | ||
| 摘要 | 一种高速响应光电探测器，包括多个光电二极管，所述多个光电二极管按一维阵列形式分布，单个光电二极管的轴向与一维阵列的延伸方向垂直，其创新在于：所述光电二极管由P型衬底、N-区和N区组成；所述N-区由在P型衬底内离子注入掺杂形成，所述N区由在N-区内离子注入掺杂形成；所述P型衬底、N-区和N区形成P-i-N结；所述N区的厚度沿光电二极管轴向逐渐变厚且呈阶梯形分布，N区厚度最厚处的表层区域形成收集端；N区范围内的杂质掺杂浓度均一，N区的杂质掺杂浓度高于N-区。本发明的有益技术效果是：可以大幅提高光电探测器的响应速度，保证对高速运动的条形码的清楚识别。 | ||
| 申请公布号 | CN103972312A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201410220707.3 | 申请日期 | 2014.05.23 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 发明人 | 邓光平;刘昌举;李明;祝晓笑;李毅强;任思伟 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/102(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人 | 侯懋琪;侯春乐 |
| 主权项 | 一种高速响应光电探测器，包括多个光电二极管，所述多个光电二极管按一维阵列形式分布，单个光电二极管的轴向与一维阵列的延伸方向垂直，其特征在于：所述光电二极管由P型衬底（1）、N‑区（2）和N区（3）组成；所述N‑区（2）由在P型衬底（1）内离子注入掺杂形成，所述N区（3）由在N‑区（2）内离子注入掺杂形成；所述P型衬底（1）、N‑区（2）和N区（3）形成P‑i‑N结；所述N区（3）的厚度沿光电二极管轴向逐渐变厚且呈阶梯形分布，N区（3）厚度最厚处的表层区域形成收集端；N区（3）范围内的杂质掺杂浓度均一，N区（3）的杂质掺杂浓度高于N‑区（2）。 | ||
| 地址 | 400060 重庆市南岸区花园路14号电子44所 | ||