| 发明名称 | 非易失性存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种非易失性存储器件及其制造方法，该非易失性存储器件包括：衬底；在衬底中的沟槽；第一栅极图案，包括第一底部栅电极，该第一底部栅电极具有在沟槽中的第一部分和在第一部分上并且相对于衬底的上表面在向上方向上突出的第二部分。第二栅极图案包括第二栅电极，其在衬底上位于第一栅极图案的一侧并且与第一栅极图案绝缘。杂质区存在于衬底中位于第一栅极图案的与第二栅极图案相反的一侧，并且重叠沟槽的部分。 | ||
| 申请公布号 | CN103972237A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201410041413.4 | 申请日期 | 2014.01.28 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 徐辅永;朴元虎;全昌愍;赵容祥 |
| 分类号 | H01L27/112(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/112(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器件，包括：衬底；在所述衬底中的沟槽；第一栅极图案，包括第一底部栅电极，所述第一底部栅电极具有在所述沟槽中的第一部分和在所述第一部分上并且相对于所述衬底的上表面在向上方向上突出的第二部分；第二栅极图案，包括第二栅电极，所述第二栅电极在所述衬底上位于所述第一栅极图案的一侧并且与所述第一栅极图案绝缘；以及杂质区，在所述衬底中位于所述第一栅极图案的与所述第二栅极图案相反的一侧，并且重叠所述沟槽的部分。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||