一种在硅基底刻蚀通孔的方法

摘要

本发明公开了一种在硅基底刻蚀通孔的方法，所述方法利用光刻胶作为掩膜替代了现有技术中的硬掩膜，避免了多个掩膜层间的图形转移可能会造成关键尺寸的变化，简化了刻蚀工艺，节省了成本，同时为了保证采用光刻胶作为掩膜与硅基底有足够的选择比，本发明采用CO和/或CO₂代替易与光刻胶发生反应的氧气为沉积保护层的反应提供氧自由基。维持等离子体刻蚀室内的O₂低于5%，以提高了光刻胶掩膜层和硅基底的选择比，同时CO和/或CO₂解离出的C自由基等粒子在光刻胶表面形成一层保护层，防止氧自由基与光刻胶发生反应。

主权项

一种在硅基底刻蚀通孔的方法，所述硅基底表面涂覆有光刻胶掩膜层，所述的刻蚀方法在等离子体刻蚀室内进行，其特征在于：所述方法包括下列步骤：提供含氟的第一气体到等离子体刻蚀室内，所述第一气体用于对硅基底进行刻蚀；提供含硅的第二气体到等离子体刻蚀室内，所述的第二气体还包括碳氧化合物，所述第二气体中O₂含量小于5%。