发明名称 |
一种制备多晶硅铸锭用坩埚免烧结涂层的方法 |
摘要 |
一种制备多晶硅铸锭用坩埚免烧结涂层的方法,包括以下步骤:一、将硅溶胶、氮化硅和水按质量比1~2:3~6:8~16搅拌;二、将坩埚预热至80~150℃;三、将混合后的溶液喷涂在坩埚内壁;通过上述步骤获得制备多晶硅铸锭的免烧结涂层。本发明的方法,与现有技术中的烧结的坩埚相比,免去喷涂后高温烧结等工序,简化了生产工艺,提高了生产效率。坩埚生产周期缩短,减化了坩埚喷涂工艺,大大降低了能耗并提高了坩埚以及坩埚铸锭成品率。 |
申请公布号 |
CN102728532B |
申请公布日期 |
2014.08.06 |
申请号 |
CN201210219178.6 |
申请日期 |
2012.06.29 |
申请人 |
宜昌南玻硅材料有限公司 |
发明人 |
黄辉;梁学勤;程达 |
分类号 |
B05D7/24(2006.01)I;B05D3/02(2006.01)I |
主分类号 |
B05D7/24(2006.01)I |
代理机构 |
宜昌市三峡专利事务所 42103 |
代理人 |
成钢 |
主权项 |
一种制备多晶硅铸锭用坩埚免烧结涂层的方法,其特征是包括以下步骤:一、将硅溶胶、氮化硅和水按质量比1~2:3~6:8~16搅拌;所述的硅溶胶质量浓度为26~50wt%;硅溶胶中SiO<sub>2</sub>的粒径分布在10~50nm之间;二、将坩埚(3)预热至80~150℃;三、将混合后的溶液喷涂在坩埚(3)内壁,喷涂厚度控制在0.5~0.7mm,喷涂过程的温度控制在60~100℃;通过上述步骤获得制备多晶硅铸锭的免烧结涂层。 |
地址 |
443007 湖北省宜昌市猇亭区南玻路1号 |