LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片

摘要

本发明提供了一种LED外延层结构，包括依次叠置的量子阱应力释放层和多量子阱层，多量子阱层包括第一多量子阱层和第二多量子阱层；第二多量子阱层为In_xGaN/GaN超晶格，In_xGaN/GaN超晶格包括多个依次叠置的结构单元，每个结构单元包括第二In_xGa阱层和第二GaN垒层；第一多量子阱层包括多个依次叠置的第一结构单元，第一结构单元包括彼此叠置的第一In_xGa阱层和第一GaN垒层，第二In_xGa阱层的厚度为第一In_xGa阱层厚度的0.3～0.6倍；第二GaN垒层的厚度为第一GaN垒层厚度的0.3～0.6倍。本发明提供的LED外延层结构通过在第一多量子阱层下方设置第二多量子阱层，使得掺In量子阱应力释放层到第一多量子阱层的应力释放更加彻底，从而提高了所得具有该外延层结构的LED芯片的LOP等。

主权项

一种LED外延层结构，包括依次叠置的量子阱应力释放层(5)、多量子阱层和P型AlGaN层(7)，其特征在于，所述多量子阱层包括：第一多量子阱层(6)，所述第一多量子阱层(6)处于所述P型AlGaN层(7)底面上，所述第一多量子阱层(6)包括多个依次叠置的第一结构单元，所述第一结构单元包括依次叠置的第一In_xGa_(1～x)阱层和第一GaN垒层；第二多量子阱层(10)，所述第二多量子阱层(10)位于所述量子阱应力释放层(5)和所述第一多量子阱层(6)之间，所述第二多量子阱层(10)为In_xGa_(1～x)N/GaN超晶格，所述In_xGa_(1～x)N/GaN超晶格包括多个依次叠置的第二结构单元，每个所述第二结构单元包括依次叠置的第二In_xGa_(1～x)阱层和第二GaN垒层；其中，所述第二In_xGa_(1～x)阱层的厚度为所述第一In_xGa_(1～x)阱层厚度的0.3～0.6倍，所述第二GaN垒层的厚度为所述第一GaN垒层厚度的0.3～0.6倍；所述x＝0.20～0.21；所述第二In_xGa_(1～x)阱层中In的掺杂浓度介于所述第一In_xGa_(1～x)阱层中In掺杂浓度和所述量子阱应力释放层(5)中In掺杂浓度之间。