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经营范围
发明名称
半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
[课题]针对半导体装置的内部提高配线基板及第二半导体晶片的电源及接地的杂讯耐性。[解决手段]在配线基板的上面搭载第一半导体晶片,且在第一半导体晶片的上面的部搭载第二半导体晶片。第二半导体晶片的电源系统及接地系统的底面电极,是经由形成在第一半导体晶片的部的晶片贯通孔导入到形成在配线基板的部的外部连接电极。电源系统及接地系统的前述底面电极、贯通孔、及外部连接电极,是各别在电源系统和接地系统之间互相离散的配置。
申请公布号
TW201431010
申请公布日期
2014.08.01
申请号
TW102133659
申请日期
2013.09.17
申请人
瑞萨电子股份有限公司
发明人
黒田淳;别井文
分类号
H01L23/12(2006.01);H01L23/48(2006.01)
主分类号
H01L23/12(2006.01)
代理机构
代理人
<name>林志刚</name>
主权项
地址
RENESAS ELECTRONICS CORPORATION 日本
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