发明名称 半导体发光装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
摘要 根据一实施例,半导体发光装置包括发光单元、第一和第二导电构件、绝缘层、密封构件、和光学层。该发光单元包括半导体堆叠体和第一及第二电极。该半导体堆叠体包括第一及第二半导体层和发光层,并且具有在第二半导体层侧上的主表面。该第一及第二电极系分别连接至在该主表面侧上的该第一及第二半导体层。该第一导电构件系连接至该第一电极并具有覆盖该第二半导体之一部分的第一柱状部。该绝缘层系设置在该第一柱状部和该第二半导体之该部分之间。该密封构件覆盖该导电构件的侧表面。该光学层系设置在另一主表面上。
申请公布号 TW201431122 申请公布日期 2014.08.01
申请号 TW103114838 申请日期 2011.05.31
申请人 东芝股份有限公司 发明人 西内秀夫;木通口和人;小幡进;中山俊弥
分类号 H01L33/36(2010.01) 主分类号 H01L33/36(2010.01)
代理机构 代理人 <name>林志刚</name>
主权项
地址 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本