氧化物半导体薄膜与其制造方法以及薄膜电晶体;OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF AND THIN FILM TRANSISTOR

摘要

本发明系由氧化物结晶质薄膜提供具有较高之载体迁移度且适合作为TFT之通道层材料的氧化物半导体薄膜。本发明之氧化物半导体薄膜系藉由对于由含有铟与钛之氧化物所构成且钛含量以Ti/In原子数比计为0.005至0.12之非晶质膜,施行250℃以上之加热温度、及1分至120分之处理时间的退火处理而得者。该氧化物半导体薄膜系为结晶质且仅由方铁锰矿型构造之In2O3相所构成,且载体浓度为11019cm-3以下、载体迁移度为1cm2/Vsec以上。