包括受张应力矽砷层之结构与装置及其形成之方法;STRUCTURES AND DEVICES INCLUDING A TENSILE-STRESSED SILICON ARSENIC LAYER AND METHODS OF FORMING SAME

摘要

本发明揭示包括受张应力矽砷层之结构、包括该等结构之装置及形成该等装置与结构之方法。例示性受张应力矽砷层之砷掺杂程度大于每立方公分5E+20个砷原子。该等结构可用于形成金属氧化物半导体装置。