| 发明名称 |
随机存取记忆体再新率技术;RAM REFRESH RATE |
| 摘要 |
一随机存取记忆体(RAM)的再新率会被增加,如果一错误数目大于一错误临界而且该再新率尚未达到一最大速率的话。该RAM的再新率会被设定为一正常速率,如果该错误数目小于或等于该错误临界的话。 |
| 申请公布号 |
TW201430848 |
申请公布日期 |
2014.08.01 |
| 申请号 |
TW102145165 |
申请日期 |
2013.12.09 |
| 申请人 |
惠普发展公司有限责任合夥企业 |
发明人 |
华纳 莉迪亚;瓦顿 安德鲁Ｃ |
| 分类号 |
G11C29/04(2006.01);G11C29/38(2006.01) |
主分类号 |
G11C29/04(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>恽轶群</name><name>陈文郎</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L. P. 美国 |
