| 摘要 |
本发明的一个实施例提供一种能够抑制随着微型化而呈现的电特性下降的半导体装置。一种半导体装置,该半导体装置包括:氧化物半导体叠层,其中在基板上从基板一侧依次层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层及第三氧化物半导体层;接触于氧化物半导体叠层的源极电极层及汲极电极层;氧化物半导体叠层、源极电极层及汲极电极层上的闸极绝缘膜;以及闸极绝缘膜上的闸极电极层,其中,第一氧化物半导体层包括第一区域,闸极绝缘膜包括第二区域,并且,在TS1表示第一区域的厚度,且TG1表示第二区域的厚度的情况下,TS1≧TG1。 |
