发明名称 隔离结构及其制造方法;ISOLATION STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
摘要 一种隔离结构之制造方法,其方法包含下列步骤。首先,提供一基底,基底上形成有复数个半导体图案,其中基底与复数个半导体图案之表面化学性质不同。接着,利用基底与复数个半导体图案之表面化学性质不同,仅于复数个半导体图案表面形成一自组装分子层。然后,于复数个半导体图案间之基底表面上形成一绝缘层。以及,去除自组装分子层而露出复数个半导体图案表面。
申请公布号 TW201431000 申请公布日期 2014.08.01
申请号 TW102103566 申请日期 2013.01.30
申请人 财团法人国家实验研究院 发明人 许舒涵;罗广礼;朱俊霖;罗智鸿;侯福居
分类号 H01L21/76(2006.01);H01L21/31(2006.01) 主分类号 H01L21/76(2006.01)
代理机构 代理人 <name>郭晓文</name>
主权项
地址 NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES 台北市大安区和平东路2段106号3楼