| 发明名称 |
钻石成长方法 |
| 摘要 |
本发明系有关于一种钻石成长方法，包括：提供一混合气体于一反应室中，其中该混合气体包括一惰性气体及一含碳气体；以及于该反应室中形成一电浆，使该含碳气体于一表面布有至少一核种之一基板上反应进行钻石成长，其中该电浆不与该基板接触。据此，本发明可成长晶粒尺寸大于20 nm且高表面平整度之多晶钻石膜。 |
| 申请公布号 |
TWI447253 |
申请公布日期 |
2014.08.01 |
| 申请号 |
TW100117085 |
申请日期 |
2011.05.16 |
| 申请人 |
国立成功大学 台南市东区大学路1号 |
发明人 |
曾永华;姜吉亨 |
| 分类号 |
C23C16/26 |
主分类号 |
C23C16/26 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
吴冠赐 台北市松山区敦化北路102号9楼;苏建太 台北市松山区敦化北路102号9楼 |
| 主权项 |
一种钻石成长方法，包括：提供一混合气体于一反应室中，其中该混合气体包括一惰性气体及一含碳气体，其中，该含碳气体系于不掺氢且不掺氧；以及于该反应室中形成一电浆，使该含碳气体于一表面布有至少一核种之一基板上反应进行钻石成长，其中该电浆不与该基板接触，且该电浆与该基板间之距离为2mm至10mm。 |
| 地址 |
台南市东区大学路1号 |
