发明名称 热处理腔室中之晶圆支撑件的温度测量及控制
摘要 揭露在快速热处理过程中达成均匀加热或冷却基材之设备与方法。更明确地说,揭露在快速热处理过程中控制支撑基材之边缘环与/或反射体平板的温度以改善横跨基材之温度均匀性的设备与方法,其包括邻近边缘环以加热或冷却边缘环之热团或平板。
申请公布号 TWI447844 申请公布日期 2014.08.01
申请号 TW098109747 申请日期 2009.03.25
申请人 应用材料股份有限公司 美国 发明人 索拉基库谢;雷奈亚历山大N;拉尼许乔瑟夫M;汉特亚伦M;亚当布鲁斯;比杰镁瑞;拉玛努加拉杰许S
分类号 H01L21/683;H01L21/324 主分类号 H01L21/683
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种处理一基材之腔室,包括:一腔室封围件,界定一处理空间;一基材支撑件,置于该处理空间中;一边缘环,置于该基材支撑件上,在处理过程中该边缘环在该基材之一周边上支撑该基材;一第一热源,包括一加热元件阵列及一反射体以加热该基材;一第二热源,用于(dedicated)改变该边缘环之温度;一边缘环热探针及一晶圆热探针,该第一热源、该第二热源以及该边缘环热探针及该晶圆热探针系连接至一控制器以独立于该基材地加热或冷却该边缘环并且最小化该边缘环与该晶圆之间的温度差异;及一热团(thermal mass),位于邻近该边缘环处,该热团包括至少一通道,该通道包含一加热或冷却该热团之流体,该边缘环及该热团相对彼此为可移动的以冷却或加热该边缘环。
地址 美国