| 发明名称 |
金属氧化物膜及形成金属氧化物膜的方法;METAL OXIDE FILM AND METHOD FOR FORMING METAL OXIDE FILM |
| 摘要 |
提供包含晶体部件及具有高度稳定物理性质的金属氧化物膜。晶体部件的尺寸系小于或等于10奈米(nm),其允许当测量区域系大于或等于5奈米(nm);且小于或等于10奈米(nm);时,在金属氧化物膜之横剖面的奈米射束电子绕射图案中之周围配置光点的观察。 |
| 申请公布号 |
TW201430920 |
申请公布日期 |
2014.08.01 |
| 申请号 |
TW102139303 |
申请日期 |
2013.10.30 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
高桥正弘;广桥拓也;津吹将志;石原典;太田将志 |
| 分类号 |
H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>林志刚</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 |
