| 发明名称 |
正型光阻材料及图型之形成方法 |
| 摘要 |
本发明系一种正型光阻材料，其系含有藉由酸的作用而成为可溶于硷显像液之树脂成分(A)与感应活性光线或辐射线而产生酸之化合物(B)，且树脂成分(A)为具有以一般式(1)所示之含有非脱离性羟基之重复单位的高分子化合物。;(1);(R1表示氢原子、甲基、或三氟甲基。Y表示氢原子或羟基，至少1个Y为羟基。波线表示键结的方向并不特定。);本发明之正型光阻材料在微细加工技术、特别是ArF微影技术中，具有极高的解像性，在精密的微细加工上极为有用。 |
| 申请公布号 |
TWI447524 |
申请公布日期 |
2014.08.01 |
| 申请号 |
TW098129869 |
申请日期 |
2009.09.04 |
| 申请人 |
信越化学工业股份有限公司 日本 |
发明人 |
西恒宽;金生刚;大桥正树;长谷川幸士;饭尾匡史 |
| 分类号 |
G03F7/039;C08F20/28;H01L21/027 |
主分类号 |
G03F7/039 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
| 主权项 |
一种正型光阻材料，其特征系含有藉由酸的作用而成为可溶于硷显像液之树脂成分(A)与感应活性光线或辐射线而产生酸之化合物(B)，且树脂成分(A)系具有下述以一般式(1)所示之含非脱离性羟基之重复单位的高分子化合物；(式中，R1表示氢原子、甲基、或三氟甲基；Y表示氢原子或羟基，至少1个Y为羟基；波线表示键结的方向并不特定)。 |
| 地址 |
日本 |
