| 摘要 |
Eine Ausführungsform eines Verfahrens zur Ausbildung einer On-Chip-RF-Abschirmung auf einem integrierten Schaltungschip gemäß der vorliegenden Offenbarung beinhaltet: Vorsehen eines Wafers, der auf Wafer-Ebene ausgebildete integrierte Schaltungsbauelemente aufweist und der eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, und zwar vor Vereinzelung; Aufbringen einer Harz-Metall-Schicht auf eine Rückseite des Wafers; und dann Zertrennen des Wafers zu diskreten, RF-geschirmten Bauelementen. Und zwar ist es diese Harz-Metall-Schicht auf der Rückseite, die tatsächlich als die RF-Abschirmung fungiert, nach Vereinzelung, d. h. einem Zertrennen des Wafers zu diskreten, RF-geschirmten Bauelementen. |
