| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Herstellen eines Silizium-Einkristalls gemäß dem Czochralski-Verfahren bereit, umfassend: Inkontaktbringen eines spitzen Endes eines Impfkristalls mit einer Siliziumschmelze; Schmelzen des Impfkristalls in der Siliziumschmelze vom Ende bis zu einer Position, an der der Impfkristall einen vorbestimmten Durchmesser hat; und dann Züchten des Silizium-Einkristalls ohne einen Dash-Necking-Prozess, wobei der Impfkristall geschmolzen wird, während der Tiegel bei einer Drehzahl von 2 min–1 oder weniger gedreht wird, und die Drehzahl des Tiegels innerhalb von 10 Minuten nach dem Ende des Schmelzvorgangs und dem Beginn des Kristallwachstums auf einen Wert unterhalb der beim Schmelzen herrschenden Drehzahl verlangsamt wird. Mit dem Verfahren lässt sich ein Rückgang der Erfolgsrate in Bezug auf ein versetzungsfreies Einkristall-Wachstum bei der Herstellung eines schweren Blocks großen Durchmessers verhindern und die Produktivität durch das versetzungsfreie Impfverfahren ohne den Halsbildungsprozess verbessern. |
