发明名称 |
发光器件 |
摘要 |
本发明公开一种发光器件,所述发光器件包括:衬底;在衬底上的发光结构,该发光结构包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层;在第二半导体层上的透光电极层;以及在透光电极层上的第一反射层,其中第一反射层包括具有第一折射率的第一层和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二层。基于此构造,能够保护发光器件并且提高其发光效率。 |
申请公布号 |
CN102201507B |
申请公布日期 |
2014.07.30 |
申请号 |
CN201110079770.6 |
申请日期 |
2011.03.25 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
秋圣镐;金省均;范熙荣;林祐湜 |
分类号 |
H01L33/10(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/10(2010.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
夏凯;谢丽娜 |
主权项 |
一种发光器件,包括:衬底;在所述衬底上的发光结构,所述发光结构包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层;在所述第二半导体层上的透光电极层;在所述透光电极层上的第一反射层;在所述第一半导体层的部分地暴露的顶部上的第一电极焊盘;在所述第二半导体层上的第二电极焊盘;以及在所述透光电极层中的第二反射层,其中所述第一反射层包括具有第一折射率的第一层和具有不同于所述第一折射率的第二折射率的第二层,其中所述第二反射层至少部分地垂直地重叠所述第二电极焊盘并且包括具有第三折射率的第三层和具有不同于所述第三折射率的第四折射率的第四层,其中所述第二反射层具有比所述第二电极焊盘的宽度大的宽度,其中所述第一反射层沿着所述有源层和所述第二半导体层的侧面从所述透光电极层的顶部延伸到所述第一半导体层的顶部,并且其中所述第二反射层不接触所述第二半导体层和所述第二电极焊盘。 |
地址 |
韩国首尔 |