| 发明名称 | 磁阻随机存取存储器（MRAM）位单元的阵列结构设计 | ||
| 摘要 | 本申请涉及磁阻随机存取存储器(MRAM)位单元的阵列结构设计。本发明揭示自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)位单元。所述位单元包括形成于第一平面中的源极线和形成于第二平面中的位线。所述位线具有与所述源极线的纵轴平行的纵轴，且所述源极线与所述位线的至少一部分重叠。 | ||
| 申请公布号 | CN103956180A | 申请公布日期 | 2014.07.30 |
| 申请号 | CN201410208924.0 | 申请日期 | 2009.03.23 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 威廉·H·夏 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01)I;G11C5/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器STT‑MRAM位单元，其包含：用于导电的第一装置，其形成于第一平面中；以及用于导电的第二装置，其形成于第二平面中，且具有与所述用于导电的第一装置的纵轴平行的纵轴，其中所述用于导电的第一装置与所述用于导电的第二装置的至少一部分重叠。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||