| 发明名称 | 提供不透气性改进的多层结构 | ||
| 摘要 | 本申请描述了一种多层结构以及用于获得所述多层结构的方法。所述多层结构包括基底(2)和第一叠层，所述第一叠层由SiO<sub>2</sub>层(A)和由SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>H<sub>z</sub>类材料制成的层(B)组成，所述由SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>H<sub>z</sub>类材料制成的层(B)定位在所述基底(2)和所述SiO<sub>2</sub>层(A)之间；其中，所述SiO<sub>2</sub>层(A)和所述由SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>H<sub>z</sub>类材料制成的层(B)具有厚度(e<sub>B</sub>、e<sub>A</sub>)，以便所述SiO<sub>2</sub>层(A)的厚度小于或等于60nm，所述由SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>H<sub>z</sub>类材料制成的层(B)的厚度(e<sub>B</sub>)为所述SiO<sub>2</sub>层(A)的厚度(e<sub>A</sub>)的两倍以上，并且所述SiO<sub>2</sub>层(A)的厚度与所述由SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>H<sub>z</sub>类材料制成的层(B)的厚度的总和在100nm至500nm之间；并且其中，z严格地为正值并且严格地小于比值(x+y)/5，有利地，z严格地小于比值(x+y)/10。所述生产方法包括：通过波长小于或等于220nm的VUV射线和波长大于或等于220nm的紫外辐射的辐照，使全氢聚硅氮烷类的液体无机前体进行转化。 | ||
| 申请公布号 | CN103958734A | 申请公布日期 | 2014.07.30 |
| 申请号 | CN201280058112.1 | 申请日期 | 2012.09.24 |
| 申请人 | 原子能和替代能源委员会 | 发明人 | 史铁番·克里斯;妮可·阿尔贝罗拉;珍-保勒·加弘德;阿诺·摩利耶 |
| 分类号 | C23C18/14(2006.01)I;B32B7/02(2006.01)I;C23C18/12(2006.01)I | 主分类号 | C23C18/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人 | 张颖玲;孟桂超 |
| 主权项 | 一种多层结构，所述多层结构包括基底(2)和第一叠层，所述第一叠层由SiO<sub>2</sub>层(A)和SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>H<sub>z</sub>类材料层(B)组成，所述SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>H<sub>z</sub>类材料层(B)位于所述基底(2)和所述SiO<sub>2</sub>层(A)之间；其中，所述SiO<sub>2</sub>层(A)和所述SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>H<sub>z</sub>类材料层(B)具有厚度(e<sub>B</sub>、e<sub>A</sub>)，以便所述SiO<sub>2</sub>层(A)的厚度小于或等于60nm，所述SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>H<sub>z</sub>类材料层(B)的厚度(e<sub>B</sub>)为所述SiO<sub>2</sub>层(A)的厚度(e<sub>A</sub>)的两倍以上，并且所述SiO<sub>2</sub>层(A)的厚度与所述SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>H<sub>z</sub>类材料层(B)的厚度的总和在100nm至500nm之间；并且其中，z严格地为正值并且z严格地小于比值(x+y)/5，并且有利地，z严格地小于比值(x+y)/10。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||