制备三烷基镓化合物的方法

摘要

本发明涉及一种用于制备具有通式R₃Ga的三烷基镓化合物的方法。该方法是基于三氯化镓(GaCl₃)(任选地在与部分烷基化的产物的一种混合物中)与一种R_aAlCl_b(其中R＝C₁-C₅-烷基，a＝1、2或3，b＝0、1或2并且a+b＝3)类型的烷基铝化合物在作为辅助碱的至少两种碱金属卤化物(例如NaCl和KCl)存在下的反应。给予优选的是使用烷基铝倍半氯化物(R₃Al₂Cl₃)或三烷基铝(R₃Al)。将该反应混合物加热到范围从120℃至250℃的温度并且将形成的三烷基镓化合物经由一个分离器分离出，该分离器在比最具挥发性的部分烷基化产物的沸点低出超过30℃的温度下运行。在此实现了完全的烷基化并且将部分烷基化的产物再循环到该反应混合物之中。在一个另外的步骤中，可以将该反应混合物加热至最高350℃并且可以分离出剩余的完全烷基化的和部分烷基化的产物。该方法提供了高产率的三烷基镓化合物并且显示出高的镓利用率；这些产物被用作例如用于MOCVD方法的前体。

主权项

用于制备具有以下通式的三烷基镓化合物的方法R₃Ga其中R是一个C₁‑C₅‑烷基基团，该方法包括以下步骤：a)三氯化镓(GaCl₃)与一种R_aAlCl_b(其中R是一个C₁‑C₅‑烷基基团，a＝1、2或3，b＝0、1或2并且总和a+b＝3)类型的烷基铝化合物在作为辅助碱的至少两种碱金属卤化物存在下的反应；b)将该反应混合物加热到从120至250℃范围内的温度，同时将该形成的三烷基镓化合物(R₃Ga)经由一个分离器与该反应混合物分离，其中该分离器是在比该反应混合物中形成的R_cGaCl_d(其中R是C₁‑C₅‑烷基基团，c、d＝1或2并且c+d＝3)类型的最具挥发性的部分烷基化的产物的沸点低出超过30℃、优选地低出超过60℃的温度下运行。