降低多晶硅栅极与活化区镍硅化物厚度比的方法

摘要

本发明提供了一种降低多晶硅栅极与活化区镍硅化物厚度比的方法，包括：在形成多晶硅栅极和活化区的硅片上，首先使用活化区的光罩通过光刻刻蚀打开活化区的硅化物阻挡层；在打开活化区的硅化物阻挡层之后第一次沉积第一厚度的镍，进行第一次第一温度退火，形成镍的硅化物，然后湿法清洗去除硅片上未反应的镍；使用包含多晶硅栅极的光罩通过光刻刻蚀打开包含多晶硅栅极区域的硅化物阻挡层；第二次沉积第二厚度的镍，进行第二次第一温度退火，通过湿法清洗去除硅片上未反应的镍，再进行第二温度退火，最终在多晶硅栅极和活化区形成低阻的镍硅化物。

主权项

一种降低多晶硅栅极与活化区镍硅化物厚度比的方法，其特征在于包括依次执行：第一步骤：在形成多晶硅栅极和活化区的硅片上，首先使用活化区的光罩通过光刻刻蚀打开活化区的硅化物阻挡层；第二步骤：在打开活化区的硅化物阻挡层之后第一次沉积第一厚度的镍，进行第一次第一温度退火，形成镍的硅化物，然后湿法清洗去除硅片上未反应的镍；第三步骤：使用包含多晶硅栅极的光罩通过光刻刻蚀打开包含多晶硅栅极区域的硅化物阻挡层；第四步骤：第二次沉积第二厚度的镍，进行第二次第一温度退火，通过湿法清洗去除硅片上未反应的镍，再进行第二温度退火，最终在多晶硅栅极和活化区形成低阻的镍硅化物。