发明名称 | 一种基于左手材料的光镊 | ||
摘要 | 本发明提供一种基于左手材料的光镊,通过在一层或多层三明治结构上(金属层-绝缘层-金属层),制备具有周期性结构的孔阵列,使其具有磁偶极子,并在光源照射下,产生一个沿光照方向的负向光学力,从而实现对微小粒子的准确抓获和选择。该光镊所特有的磁偶极子,可以使其在很小功率光源的作用下即可实现对微小粒子的抓获,减少了由于光源功率过大所导致的光镊对生物样本的活力影响和扰动。该光镊具有体积小、抓获力大、稳定性高等特点。 | ||
申请公布号 | CN102565057B | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
申请号 | CN201110421576.1 | 申请日期 | 2011.12.15 |
申请人 | 大连理工大学 | 发明人 | 曹暾 |
分类号 | G01N21/84(2006.01)I | 主分类号 | G01N21/84(2006.01)I |
代理机构 | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人 | 梅洪玉;李宝元 |
主权项 | 一种基于左手材料的光镊,其特征在于,该光镊具有一层或多层三明治结构,其上具有周期性结构的孔阵列;所述的三明治结构是通过在衬底上交替生长金属层、绝缘层、金属层而成,金属层的宽度在1微米至10厘米、高度在20纳米至500微米,绝缘层在1微米至10厘米、高度在20纳米至500微米;所述的衬底采用晶体材料、有机材料;所述的周期性孔矩阵孔是矩形、方形、圆形、椭圆形、弧形、十字形;孔的宽度在20纳米至10微米、高度在60纳米至10厘米;所述的金属层是Al、Ag、Au或Cu;所述的绝缘层是Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、MgF<sub>2</sub>或HSQ;所述的晶体材料是硅、砷化镓或磷化铟。 | ||
地址 | 116024 辽宁省大连市凌工路2号 |