发明名称 |
存储元件、半导体器件和写入方法 |
摘要 |
本发明期望提供一种能够提高所存信息的可靠性的存储元件、半导体器件和写入方法。所述存储元件包括:电熔丝,其设置为插在第一输入节点与第二输入节点之间;以及反熔丝,其设置为插在所述第二输入节点与第三输入节点之间。所述第三输入节点所构成的节点上所施加的电压与施加至所述第一输入节点上的电压可以单独地施加。 |
申请公布号 |
CN103943624A |
申请公布日期 |
2014.07.23 |
申请号 |
CN201410017862.5 |
申请日期 |
2014.01.15 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
神田泰夫;甘利浩一;时任俊作;鸟毛裕二;有马孝之 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L23/525(2006.01)I;G11C17/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 |
代理人 |
褚海英;陈桂香 |
主权项 |
一种存储元件,其包括:电熔丝,其设置为插在第一输入节点与第二输入节点之间;以及反熔丝,其设置为插在所述第二输入节点和第三输入节点之间,所述第三输入节点所构成的节点上所施加的电压与施加至所述第一输入节点上的电压可以单独地施加。 |
地址 |
日本东京 |