发明名称 |
一种电容式MEMS传感器的检测电路 |
摘要 |
本发明涉及一种电容式MEMS传感器的检测电路,其包括用于与第一待测电容、第二待测电容相连后形成的谐振单元,所述谐振单元通过频率检测单元与差频电路相连,频率检测单元的输出端分别与第一待测电容的第一可动极板、第二待测电容的第二可动极板相连;第一待测电容、第二待测电容对应连接形成与谐振单元,谐振单元内能产生谐振频率,并能对谐振衰减的能量补偿;频率检测单元根据谐振单元输出的谐振频率驱动差频电路输出对应的频率信号。本发明采用有源电路补偿储能器件能量损耗,采用静电反馈机制构成闭环系统稳定输出频率,抗干扰能力增强,结构简单易于单片集成,结构紧凑,测量精度高,抗干扰能力强,克服能量损耗,便于单片集成,稳定可靠。 |
申请公布号 |
CN102854399B |
申请公布日期 |
2014.07.23 |
申请号 |
CN201210329954.8 |
申请日期 |
2012.09.07 |
申请人 |
江苏物联网研究发展中心 |
发明人 |
孟如男;王玮冰 |
分类号 |
G01R27/26(2006.01)I |
主分类号 |
G01R27/26(2006.01)I |
代理机构 |
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 |
代理人 |
曹祖良 |
主权项 |
一种电容式MEMS传感器的检测电路,其特征是:包括用于与第一待测电容(C1)、第二待测电容(C2)相连后形成的谐振单元,所述谐振单元通过频率检测单元与差频电路相连,频率检测单元的输出端分别与第一待测电容(C1)的第一可动极板(M1)、第二待测电容(C2)的第二可动极板(M2)相连;第一待测电容(C1)、第二待测电容(C2)对应连接形成与谐振单元,谐振单元内能产生谐振频率,并能对谐振衰减的能量补偿;频率检测单元根据谐振单元输出的谐振频率驱动差频电路输出对应的频率信号;所述谐振单元包括由所述第一待测电容(C1)、第二待测电容(C2)的两端均并联有选频电感(L0)以形成的选频网络及有源电路(1)。 |
地址 |
214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座 |