化合物半导体制造装置、化合物半导体制造方法以及化合物半导体制造用型架

摘要

在化合物半导体基板(40)上形成采用有机金属气相生长法在化合物半导体基板(40)上依次层叠III族氮化物半导体的晶体层而成的化合物半导体层时，在反应容器内安装化合物半导体基板(40)使其晶体生长面朝上，在化合物半导体基板(40)的上方，在与晶体生长面对向的侧安装形成有放射状的多个沟(63)的保护构件(60)，经由在保护构件(60)的部设置的第1贯通孔(61)对反应容器的内部进行原料气体的供给。由此，在使用了有机金属气相生长法的化合物半导体的制造中，抑制了由剥落的反应生成物附着于基板或者基板上的外延生长膜上所引起的成品率的降低。

主权项

一种化合物半导体制造装置，是采用有机金属气相生长法形成化合物半导体层的化合物半导体制造装置，其特征在于，具有：反应容器；从外部向所述反应容器内供给所述化合物半导体的原料气体的原料供给口；配置于所述反应容器内，以被形成体的被形成面朝向上方的方式支持该被形成体的支持体；和配置于被所述支持体支持的所述被形成体的上方，并在与所述被形成面对向并直接面对的对向面形成有凹凸的对向构件；所述原料供给口由设置于所述对向构件的贯通孔构成，在所述对向构件的所述对向面，以所述贯通孔为中心呈放射状地形成有多个从内侧朝向外侧且由具有连续性的凹部构成的沟，所述沟的始点的位置处于比相对向的所述支持体上所保持的所述被形成体的内侧端部的移动轨迹靠中心的中心部侧，且所述沟的终点的位置处于比相对向的所述支持体上所保持的所述被形成体的外侧端部的移动轨迹靠外的外侧。