发明名称 |
一种富集<sup>10</sup>B的碳化硼中子吸收屏蔽材料的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及防护和控制材料技术领域,具体涉及一种富集<sup>10</sup>B的碳化硼中子吸收屏蔽材料的制备方法。本发明是将97~99质量份的富集<sup>10</sup>B碳化硼粉体与1~3质量份的胶黏剂以去离子水为介质混合形成混合物料烘干,将烘干后物料放入真空烧结炉内进行有压或无压烧结,控制炉内真空度达到5~40Pa,得到密度为1.8~2.48g/cm<sup>3</sup>的富集<sup>10</sup>B碳化硼中子吸收屏蔽材料。本发明的碳化硼粉末压制的制品,中子吸收能力大大提高,在反应堆内使用的过程中,不会引入其他杂质,能够保证反应堆的安全运行和使用寿命。 |
申请公布号 |
CN103936422A |
申请公布日期 |
2014.07.23 |
申请号 |
CN201410124948.8 |
申请日期 |
2014.03.31 |
申请人 |
大连博恩坦科技有限公司 |
发明人 |
吴旭光;曹宝胜;韩晓辉;韩玉成 |
分类号 |
C04B35/563(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/563(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 |
代理人 |
梁焱;陈磊 |
主权项 |
一种富集<sup>10</sup>B的碳化硼中子吸收屏蔽材料的制备方法,其特征在于按照以下步骤进行:(1)将97~99质量份的富集<sup>10</sup>B碳化硼粉体与1~3质量份的胶黏剂以去离子水为介质混合形成混合物料,将混合后的物料放入烘箱中烘干;(2)将烘干后的物料装入冷等静压模具中,于50~300Mpa的压力下压制成坯料;(3)将坯料放入石墨模具中,再放入真空烧结炉内进行无压烧结,控制炉内真空度达到5~40Pa,在15min内由室温升温至450℃,再在15min内由450℃升温继续至800℃,再在30min内由800℃继续升温至1400℃,再在40min内由1400℃继续升温至1950℃,最后于1950~2200℃保温5~30min,随炉冷却至室温,得到密度为1.8~2.48g/cm<sup>3</sup>的富集<sup>10</sup>B碳化硼中子吸收屏蔽材料。 |
地址 |
116113 辽宁省大连市甘井子区振兴路205号 |