采用电容测试结构检测多晶硅栅极刻蚀缺陷的方法

摘要

本发明公开了采用电容测试结构检测多晶硅栅极刻蚀缺陷的方法，涉及集成电路制造工艺领域。该方法为：建立电容测试结构；将所述测试结构放置于监控产品测试位置，在所述电容测试结构的表面沉积掩模层，根据前段工艺进行流片；采用刻蚀工艺对所述电容测试结构进行刻蚀；采用所述电子束检测仪对刻蚀后的所述电容测试结构进行检测，判断所述电容测试结构是否存在桥连，若是则存在缺陷，若否则电容测试结构不存在缺陷。采用该方法能够及时发现在线缺陷，为研发阶段良率提升提供数据参考，缩短研发周期；为产品提供监控手段，缩短影响区间，为产品良率提供保障。

主权项

采用电容测试结构检测多晶硅栅极刻蚀缺陷的方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1.建立电容测试结构；步骤2.将所述测试结构放置于电子束检测仪的监控产品测试位置，在所述电容测试结构的表面沉积掩模层，根据前段工艺进行流片；步骤3.采用刻蚀工艺对所述电容测试结构进行刻蚀；步骤4.采用所述电子束检测仪对刻蚀后的所述电容测试结构进行检测，判断所述电容测试结构是否存在桥连，若是则存在缺陷，若否则所述电容测试结构不存在缺陷。