发明名称 含有稠合的硒吩之聚合物
摘要 本发明系有关于一种含有稠合的硒吩环之聚合物,关于彼等在光学、电光学或电子装置中作为半导体或电荷传输材料之用途,及关于含有彼等之光学、电光学或电子装置。
申请公布号 TWI445730 申请公布日期 2014.07.21
申请号 TW096148753 申请日期 2007.12.19
申请人 麦克专利有限公司 德国 发明人 马汀 席尼;张卫民;史蒂芬 堤尔尼;艾恩 麦克古洛奇
分类号 C08G61/12;H01B1/12;H01L51/00 主分类号 C08G61/12
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种式I之聚合物其中X1和X2其中之一为Se且另一个为S或Se,R1和R2各自独立地为相同或不同且选自下列之基团:H、卤素、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR0R00、-C(=O)X0、-C(=O)R0、-NH2、-NR0R00、-SH、-SR0、-SO3H、-S02R0、-OH、-NO2、-CF3、-SF5、P-Sp-、选择性地经取代之矽烷基、或具有1至40个C原子之选择性地经取代的含碳基或烃基且选择性地包含一或多个杂原子,且R1和R2中至少一者系选自下列者:直链之C1-C20-烷基、C1-C20-烷氧基、C2-C20-烯基、C2-C20-炔基、C1-C20-硫烷基、C1-C20-矽烷基、C1-C20-酯、C1-C20-胺基、C1-C20-氟烷基、及选择性经取代之芳基或杂芳基,P为可聚合基,Sp为间隔基或单键,X0为卤素,R0和R00各自独立地为H或具有1至20个C原子之选择地经取代之脂族或芳族烃基,Ar为经R1取代之单-或多核芳基或杂芳基,Y1和Y2各自独立地为H、F、Cl或CN,m为1、2、3或4,及n为>10之整数。
地址 德国