| 发明名称 |
受应力之场效电晶体以及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种受应力之场效电晶体以及其制造方法。该场效电晶体包括矽基板，在该矽基板上覆有闸极绝缘体。闸电极覆于该闸极绝缘体上，并且定义通道区域于该闸电极之下方的该矽基板中。具有第一厚度之第一矽锗区域系嵌入该矽基板中，并接触该通道区域。具有第二厚度之第二矽锗区域也嵌入该矽基板中，该第二厚度大于该第一厚度，并且该第二矽锗区域与该通道区域分隔开。 |
| 申请公布号 |
TWI446453 |
申请公布日期 |
2014.07.21 |
| 申请号 |
TW096135865 |
申请日期 |
2007.09.27 |
| 申请人 |
格罗方德半导体公司 美国 |
发明人 |
伟特 安德卓迈克Ｍ;蓝凌 史考特 |
| 分类号 |
H01L21/335;H01L29/76 |
主分类号 |
H01L21/335 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种受应力之场效电晶体，包括：矽基板；闸极绝缘体，覆于该矽基板上；闸电极，覆于该闸极绝缘体上；通道区域，在该矽基板中且位于该闸电极之下方；未掺杂之磊晶生长嵌入矽锗区域，具有第一厚度且接触该通道区域；以及原位杂质掺杂之磊晶生长嵌入矽锗区域，具有大于该第一厚度之第二厚度且与该通道区域分隔开。 |
| 地址 |
美国 |
