半导体装置之制造方法

摘要

根据本发明之实施形态，于半导体装置之制造方法中，于支撑基板上形成抑制光之透过之第1树脂层，且于第1树脂层上形成包含热可塑性树脂之第2树脂层。于第2树脂层上形成绝缘层及配线层，且于配线层上安装第1半导体晶片。对第1树脂层照射雷射光以剥离支撑基板而去除第2树脂层。

主权项

一种半导体装置之制造方法，其包括：于支撑基板上形成第1树脂层，该第1树脂层含有透过阻碍材料与合成树脂；于上述第1树脂层上形成包含热可塑性树脂之第2树脂层；于上述第2树脂层上形成绝缘层及配线层；于上述配线层上安装第1半导体晶片；从形成上述第2树脂层侧之相对侧对上述第1树脂层照射雷射光而从上述第2树脂层剥离上述第1树脂层；及去除上述第2树脂层。