半导体封装结构

摘要

本发明提供一种半导体封装结构，包括一第一电极、一第二电极、至少一半导体晶粒、一封装层、一反射层以及一萤光层。该半导体晶粒设置在该第一电极上，并与该第一、二电极电性连接。该封装层包覆该第一、二电极、该半导体晶粒以及其电性连接处。该封装层的周围侧边上具有一环状凸出，该环状凸出的周边以及顶面设置该反射层。该反射层内部设置该萤光层并覆盖该封装层。本发明并提供制造该半导体封装结构的制造方法。

主权项

一种半导体封装结构制造方法，其包括以下的步骤：提供一第一电极以及一第二电极，在该第一电极上设置至少一半导体晶粒，使该半导体晶粒与该两个电极电性连接；形成一封装层，在该两个电极的顶面以及底面，并包覆该半导体晶粒及其电性连接处，同时在该封装层的周围侧边上形成一环状凸出；形成一反射层，在该两个电极的顶面以及该封装层的环状凸出顶面上；形成一萤光层，在该反射层内部并覆盖该封装层；及弯折该两个电极，使该两个电极的端部位于该封装层的底部。