发明名称 发光二极体
摘要 一种发光二极体,其包括:一基底;一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面,且所述第一半导体层靠近基底设置;一第一电极与所述第一半导体层电连接设置;一第二电极与所述第二半导体层电连接设置;其中所述第一半导体层与基底的表面具有复数奈米级的凹槽,所述第一半导体层与基底之间构成复数奈米级的孔洞。本发明提供的发光二极体的光取出效率较高。
申请公布号 TWI446587 申请公布日期 2014.07.21
申请号 TW100116299 申请日期 2011.05.10
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 新北市土城区自由街2号 发明人 魏洋;范守善
分类号 H01L33/36 主分类号 H01L33/36
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极体,其包括:一基底;一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面,且所述第一半导体层靠近基底设置;一第一电极,所述之第一电极与所述第一半导体层电连接;一第二电极,所述之第二电极与所述第二半导体层电连接;其中,所述第一半导体层与基底接触的表面具有复数奈米级的凹槽,所述第一半导体层与基底之间构成复数奈米级的孔洞,所述复数奈米级的孔洞的形状为复数相互平行的条状孔洞。
地址 新北市土城区自由街2号