包括一埋入式绝缘层及一贯穿其延伸之垂直导电结构之电子装置及其形成方法

摘要

本发明揭示一种电子装置，其可包括一埋入式导电区、位于该埋入式导电区上方之一埋入式绝缘层及配置在该埋入式绝缘层上方之一半导体层，其中该半导体层具有一主表面及一对置表面，且该埋入式导电区系配置成距该对置表面比距该主表面更近。该电子装置亦可包括一第一电晶体之一载流电极，其中该载流电极系沿该主表面配置且与该埋入式导电层间隔开。该电子装置亦可包括延伸穿过该埋入式绝缘层之一第一垂直导电结构，其中该第一垂直导电结构电连接至该载流电极及该埋入式导电区。

主权项

一种电子装置，其包含：一埋入式导电区；一埋入式绝缘层，其位于该埋入式导电区上方；一半导体层，其配置在该埋入式绝缘层上方，其中该半导体层具有一主表面及一对置表面，且该埋入式导电区系配置成距该对置表面比距该主表面更近；一第一电晶体之一第一载流电极，其中该第一载流电极系沿该主表面配置且与该埋入式导电层间隔开；及一第一垂直导电结构，其延伸穿过该埋入式绝缘层，其中该第一垂直导电结构电连接至该第一载流电极及该埋入式导电区，其中该第一垂直导电结构界定毗邻于该埋入式绝缘层配置之一空隙，其中该空隙之实质上全部系配置在与该主表面之一高度间隔开之一高度处。