记忆体单元及相关记忆体装置

摘要

一种记忆体单元，其包括一对子单元。每一子单元包括一存取电晶体、一储存电晶体以及一隔离电晶体，其依序藉由连接源极/汲极而串联耦接在一起。隔离电晶体系共享使用于一邻近记忆体单元的子单元，且系一直关闭的，其中储存电晶体是一直导通的。字元线(wordline)耦接至每一子单元的存取电晶体之闸极，而互补位元线(complementary bit lines)分别耦接至该对子单元的存取电晶体之源极/汲极，因此藉由存取电晶体，可于相应之位元线与储存电晶体之间存取资料位元。

主权项

一种记忆体单元，包含：一对子单元，每一该子单元包括一存取电晶体、一储存电晶体以及一隔离电晶体，其依序藉由连接源极/汲极而串联耦接在一起，其中，该隔离电晶体系共享使用于一邻近使用不同字元线之记忆体单元的该子单元，且该隔离电晶体系一直关闭的，且该储存电晶体系一直导通的；一字元线，耦接至每一该子单元的存取电晶体之一闸极；及二互补之位元线(complementary bit lines)，其分别耦接至该对子单元的存取电晶体之源极/汲极，因此藉由该存取电晶体，可于相应之该位元线与该储存电晶体之间存取资料位元。