| 发明名称 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТА К СТОКОВОЙ ОБЛАСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА |
| 摘要 |
Способ присоединения полупроводникового кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, включающий последовательное напыление на посадочную поверхность кристалла слоев металла и пайку кристалла к кристаллодержателю, отличающийся тем,что проводят последовательное напыление двух металлов хром-германий, а пайку кристалла к кристаллодержателю проводят при 250-280°С. |
| 申请公布号 |
RU2013100562(A) |
申请公布日期 |
2014.07.20 |
| 申请号 |
RU20130100562 |
申请日期 |
2013.01.09 |
| 申请人 |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) |
发明人 |
Исмаилов Тагир Абдурашидович;Шахмаева Айшат Расуловна;Захарова Патимат Расуловна |
| 分类号 |
H01L21/00 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
