发明名称 XMR-Sensor und Verfahren zur Herstellung des XMR-Sensors
摘要 <p>Ein XMR-Sensor und Verfahren zur Herstellung des XMR-Sensors werden bereitgestellt. Der XMR-Sensor weist ein Substrat, einen ersten Kontakt, einen zweiten Kontakt und eine XMR-Struktur auf. Das Substrat weist einen ersten Hauptoberflächenbereich und einen zweiten Hauptoberflächenbereich auf. Der erste Kontakt ist an dem ersten Hauptoberflächenbereich angeordnet und der zweite Kontakt ist an dem zweiten Hauptoberflächenbereich angeordnet. Die XMR-Struktur erstreckt sich von dem ersten Kontakt zu dem zweiten Kontakt derart, dass eine XMR-Ebene der XMR-Struktur entlang einer ersten Richtung angeordnet ist, die zu dem ersten Hauptoberflächenbereich oder dem zweiten Hauptoberflächenbereich senkrecht ist.</p>
申请公布号 DE102013226319(A1) 申请公布日期 2014.07.17
申请号 DE201310226319 申请日期 2013.12.17
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 ZIMMER, JÜRGEN
分类号 H01L43/08;G01R33/09;H01L27/22 主分类号 H01L43/08
代理机构 代理人
主权项
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