发明名称 Verfahren zum Schutz von Hochfrequenzverstärkern einer Plasmaversorgungseinrichtung und Plasmaversorgungseinrichtung
摘要 Verfahren zum Schutz von Hochfrequenzverstärkern (10, 20) mit zumindest einem schaltenden Element einer Plasmaversorgungseinrichtung (80), die ein Hochfrequenzausgangssignal mit einer Leistung > 500 W und einer im Wesentlichen konstanten Grundfrequenz > 3 MHz an eine Plasmalast (60) liefert, mit den Schritten–Ansteuern von zwei Hochfrequenzverstärkern (10, 20) mit zwei Ansteuersignalen gleicher Frequenz, die eine vorgegebene Phasenverschiebung zueinander aufweisen,–Erzeugen von zwei Hochfrequenzquellsignalen mittels der Hochfrequenzverstärker (10, 20),–Koppeln der Hochfrequenzquellsignale in einem Koppler (30) zu einem Hochfrequenzausgangssignal,–Senden des Hochfrequenzausgangssignals an die Plasmalast (60),–Messen von elektrischen Größen, die mit den von beiden Hochfrequenzverstärkern (10, 20) gesehenen Lastimpedanzen in Beziehung stehen,–Bestimmen, ob sich die Lastimpedanz eines der Hochfrequenzverstärker (10, 20) außerhalb eines vorgegebenen Bereichs befindet;–Anpassen der Phasenverschiebung der beiden Ansteuersignale und damit der Phasenverschiebung der Hochfrequenzquellsignale zueinander, derart, dass keiner der Hochfrequenzverstärker (10, 20) eine Lastimpedanz sieht, die sich außerhalb des vorgegebenen Bereichs befindet.
申请公布号 DE112008000095(B4) 申请公布日期 2014.07.17
申请号 DE20081100095T 申请日期 2008.07.22
申请人 TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG 发明人 KIRCHMEIER, THOMAS;GLÜCK, MICHAEL
分类号 H01J37/32 主分类号 H01J37/32
代理机构 代理人
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