发明名称 功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法
摘要 本发明涉及功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法。功率半导体模块具有基板(2)和布置在基板(2)上且与基板(2)连接的功率半导体结构元件(13),其中,功率半导体模块(1)具有一体式构造的导电的连接装置(9),其中,连接装置(9)具有扁平的第一联接区域(19)和扁平的第二联接区域(20)以及布置在第一联接区域(19)与第二联接区域(20)之间的弹性区域(15),其中,弹性区域(15)具有呈条状的第一成型元件(17)和第二成型元件(18),这些成型元件彼此具有反向的弯折部且交替地布置,其中,第一联接区域(19)与基板(2)连接。
申请公布号 CN103928408A 申请公布日期 2014.07.16
申请号 CN201410019521.1 申请日期 2014.01.16
申请人 赛米控电子股份有限公司 发明人 哈特姆特·库拉斯
分类号 H01L23/049(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/36(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/049(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 邹璐;安翔
主权项 功率半导体模块,其具有基板(2)和布置在所述基板(2)上且与所述基板(2)连接的功率半导体结构元件(13),其中,所述功率半导体模块(1)具有一体式构造的导电的连接装置(9),其中,所述连接装置(9)具有扁平的第一联接区域(19)和扁平的第二联接区域(20)以及布置在所述第一联接区域(19)与所述第二联接区域(20)之间的弹性区域(15),其中,所述弹性区域(15)具有呈条状的第一和第二成型元件(17、18),所述成型元件彼此具有反向的弯折部且交替地布置,其中,所述第一联接区域(19)与所述基板(2)连接。
地址 德国纽伦堡