发明名称 |
SnS/ZnS叠层薄膜太阳能电池制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种SnS/ZnS叠层薄膜太阳能电池制备方法,属于太阳能电池技术领域。该方法包括如下步骤:a、将FTO导电玻璃清洗干净,安装于磁控溅射机基片座上;b、开启真空抽气系统抽真空;c、通入氩气,执行预溅射程序;d、再次执行抽本底真空;e、再次通入氩气,当真空室内真空度达到2~9×10<sup>-1</sup>Pa后,开启SnS靶材的溅射电源制备SnS薄膜;SnS薄膜制备完成后制备ZnS薄膜;f、重复操作,总共制备2~4个P-N结;g、制备Al薄膜后即得到SnS/ZnS叠层薄膜太阳能电池。本发明方法能够提高电池光吸收率,即能提高电池光电转换效率,制备过程稳定、温度低、能耗低,适于大范围的工业推广应用。 |
申请公布号 |
CN103928576A |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
申请号 |
CN201410193781.0 |
申请日期 |
2014.05.09 |
申请人 |
攀枝花学院 |
发明人 |
霍红英;邹敏;张勇;范文娟 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 |
代理人 |
罗贵飞;梁鑫 |
主权项 |
SnS/ZnS叠层薄膜太阳能电池制备方法,其特征在于包括如下步骤:a、将作为基片的FTO导电玻璃清洗干净,安装于磁控溅射机基片座上;然后再安装SnS靶材、ZnS靶材和Al靶材后关闭磁控溅射机真空室门;b、开启真空抽气系统抽真空,使本底真空度达到2×10<sup>‑3</sup>Pa以上;c、开启氩气进气阀门通入氩气,使真空室内真空度达到2×10<sup>‑1</sup>Pa时,开启所有靶材溅射电源执行预溅射程序;d、预溅射程序结束后,关闭所有靶材电源,关闭氩气进气阀,再次抽本底真空至2×10<sup>‑3</sup>Pa以上;e、再次开启氩气进气阀门通入氩气,当真空室内真空度达到2~9×10<sup>‑1</sup>Pa后,开启SnS靶材的溅射电源制备SnS薄膜,控制功率密度100~300W/cm<sup>2</sup>、溅射时间10~30分钟,薄膜厚度50~80nm;SnS薄膜制备完成后制备ZnS薄膜,控制功率密度200~350W/cm<sup>2</sup>、溅射时间10~30分钟,薄膜厚度50~80nm;f、重复执行步骤e中制备SnS薄膜和ZnS薄膜的程序,总共制备2~4个由SnS薄膜和ZnS薄膜组成的P‑N结;g、P‑N结制备完成后制备Al薄膜,控制功率密度100~250W/cm<sup>2</sup>、溅射时间10~15分钟,溅射厚度70~100nm,Al薄膜制备完成后即得到SnS/ZnS叠层薄膜太阳能电池。 |
地址 |
617000 四川省攀枝花市东区机场路10号 |